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型号 SI1988DH-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6
SI1988DH-T1-E3 PDF
代理商 SI1988DH-T1-E3
产品目录绘图 DL-T1-E3 Series SOT-363
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 168 毫欧 @ 1.4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 4.1nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds 110pF @ 10V
功率 - 最大 740mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装 SC-70-6
包装 标准包装
产品目录页面 1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI1988DH-T1-E3DKR
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